LGE2300
Symbol Micros:
TLGE2300
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2300-LGE;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Rezystancja otwartego kanału: | 32mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
| Temperatura pracy (zakres): | -50°C ~ 155°C |
| Montaż: | SMD |