LGE2301

Symbol Micros: TLGE2301
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: -3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: LGE Symbol producenta: LGE2301 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2630 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5560 0,2640 0,1480 0,1130 0,1010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 140mOhm
Maksymalny prąd drenu: -3A
Maksymalna tracona moc: 1W
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: -20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD