LGE2301
Symbol Micros:
TLGE2301
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; unipolar; -20V; 12V; 140mOhm; -3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LGE2301-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | -3A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | -20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Rezystancja otwartego kanału: | 140mOhm |
Maksymalny prąd drenu: | -3A |
Maksymalna tracona moc: | 1W |
Obudowa: | SOT23 |
Producent: | LGE |
Maksymalne napięcie dren-źródło: | -20V |
Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 12V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Montaż: | SMD |