LGE2304

Symbol Micros: TLGE2304
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 2,2V
Producent: LGE Symbol producenta: LGE2304 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5720 0,2720 0,1530 0,1160 0,1040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-08-20
Ilość szt.: 3000
Rezystancja otwartego kanału: 75mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: LGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 30V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 2,2V
Typ tranzystora: MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD