LGE2312
Symbol Micros:
TLGE2312
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 20V; 10V; 31mOhm; 4,9A; 1,25W; -55°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2312-LGE;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Rezystancja otwartego kanału: | 31mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 4,9A |
| Maksymalna tracona moc: | 1,25W |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | LGE |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 10V |
| Typ tranzystora: | MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 10V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |