LND150N8-G Microchip

Symbol Micros: TLND150n8g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1000Ohm; 30mA; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 1000Ohm
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Rezystancja otwartego kanału: 1000Ohm
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 1,6W
Obudowa: SOT89
Producent: Supertex
Maksymalne napięcie dren-źródło: 500V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD