MBT3904DW1T1G ON Semiconductor

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC-88
Tranzystor 2xNPN; 300; 150mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS MA. Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
85 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2740 0,1540 0,1170 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G RoHS MA. Obudowa dokładna: SC-88 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2740 0,1540 0,1170 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnętrzny:
357000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MBT3904DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88  
Magazyn zewnętrzny:
69000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 150mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SC-88
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN