MJ11015

Symbol Micros: TMJ11015
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11015G;
Parametry
Moc strat: 200W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ11015G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,0632
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ11015G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
102 szt.
ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 42,7284
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ11015G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 20,3232
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 1000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 30A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: PNP