MJ11015
Symbol Micros:
TMJ11015
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11015G;
Parametry
| Moc strat: | 200W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11015G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 19,0632 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11015G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
102 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 42,7284 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11015G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 20,3232 |
| Moc strat: | 200W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | PNP |