MJ11015 TO3
Symbol Micros:
TMJ11015 c
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; -55°C ~ 200°C; MJ11015-CDI
Parametry
| Moc strat: | 200W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Producent: import
Symbol producenta: MJ11015 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 178+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,0000 | 6,7000 | 5,9500 | 5,4900 | 5,3300 |
Producent: PMC-Sierra
Symbol producenta: MJ11015 RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
16 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 178+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 8,0000 | 6,7000 | 5,9500 | 5,4900 | 5,3300 |
| Moc strat: | 200W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | PNP |