MJ11016 ONS
Symbol Micros:
TMJ11016
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 1000; 200W; 120V; 30A; 4MHz; -55°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ11016G; MJ11016-CDI;
Parametry
| Moc strat: | 200W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11016G RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 29,0200 | 26,7300 | 25,3300 | 24,6200 | 24,1800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11016G RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 39+ | 117+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 29,0200 | 26,7300 | 25,3300 | 24,5000 | 24,1400 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ11016G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 24,1800 |
| Moc strat: | 200W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 1000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 30A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | NPN |