MJ11032G

Symbol Micros: TMJ11032
Obudowa: TO 3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
Parametry
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ11032G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 37,0372
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 18000
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 50A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 120V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN