MJ11033G
Symbol Micros:
TMJ11033
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 18000; 300W; 120V; 50A; -55°C ~ 200°C;
Parametry
| Moc strat: | 300W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 18000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
Producent: INCHANGE SEMICONDUCTORS Co.Ltd
Symbol producenta: MJ11033G RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 20+ | 50+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 45,6300 | 43,2800 | 41,7800 | 41,2300 | 40,7400 |
| Moc strat: | 300W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 18000 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 50A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 120V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | PNP |