MJ15003G
Symbol Micros:
TMJ15003 ons
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15003G; MJ15003;
Parametry
Moc strat: | 250W |
Częstotliwość graniczna: | 2MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ15003G RoHS
Obudowa dokładna: TO 3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
62 szt.
ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 30,8500 | 28,9800 | 27,8100 | 27,2100 | 26,8300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ15003G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnętrzny:
488 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 26,8300 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ15003G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnętrzny:
100 szt.
ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 26,8300 |
Moc strat: | 250W |
Częstotliwość graniczna: | 2MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 150 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO 3 |
Maksymalny prąd kolektora: | 20A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 140V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
Typ tranzystora: | NPN |