MJ15022

Symbol Micros: TMJ15022 ons
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 60; 250W; 200V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15022G;
Parametry
Moc strat: 250W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ15022G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
184 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 18,3081
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: NPN