MJ15023

Symbol Micros: TMJ15023
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO 3
Tranzystor PNP; 60; 250W; 200V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: MJ15023G;
Parametry
Moc strat: 250W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJ15023G Obudowa dokładna: TO 3  
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 19,7552
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250W
Częstotliwość graniczna: 4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: Inchange Semiconductors
Obudowa: TO 3
Maksymalny prąd kolektora: 16A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 200V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 200°C
Typ tranzystora: PNP