MJ21196G
Symbol Micros:
TMJ21196
Obudowa: TO 3
Tranzystor NPN; 75; 250W; 250V; 16A; 4MHz; -65°C ~ 200°C;
Parametry
| Moc strat: | 250W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 16A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJ21196G
Obudowa dokładna: TO 3
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 22,7293 |
| Moc strat: | 250W |
| Częstotliwość graniczna: | 4MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 75 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO 3 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 16A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 200°C |
| Typ tranzystora: | NPN |