MJB45H11T4G

Symbol Micros: TMJB45h11
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO263 (D2PAK)
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
PNP 10A 80V 50W 40MHz
Parametry
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Typ tranzystora: PNP
Moc: 50W
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora [Ic]: 10A
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJB45H11T4G Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
800 szt.
ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1959
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJB45H11G Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK)  
Magazyn zewnętrzny:
550 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3576
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Typ tranzystora: PNP
Moc: 50W
Napięcie kolektor-emiter: 80V
Prąd kolektora [Ic]: 10A

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta