MJD112
Symbol Micros:
TMJD112 LGE
Obudowa: TO252
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1W; TO252 MJD112-LGE
Parametry
| Moc strat: | 1W |
| Częstotliwość graniczna: | 25MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 500 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO-252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: LGE
Symbol producenta: MJD112 RoHS
Obudowa dokładna: TO252t/r
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 | 0,7530 | 0,5280 | 0,4590 | 0,4290 |
| Moc strat: | 1W |
| Częstotliwość graniczna: | 25MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 500 |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | TO-252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |