MJD127

Symbol Micros: TMJD127

Obudowa: TO252

Tranzystor PNP; 12000; 1,75W; 100V; 8A; 4MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD127G; MJD127TF; MJD127T4G; MJD127T4; MJD127-TP; MJD127-LGE;

Parametry

Moc strat:	1,75W
Częstotliwość graniczna:	4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	12000
Obudowa:	TO252
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C

Producent: ST Symbol producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

45000 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,6776

Producent: ST Symbol producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

320000 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,6420

Producent: ST Symbol producenta: MJD127T4 Obudowa dokładna: TO252

Magazyn zewnetrzny:

980000 szt.

ilość szt.	2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN)	0,6646

Producent: YFW Symbol producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK)

Stan magazynowy:

2210 szt.

ilość szt.	3+	10+	30+	100+	290+
cena netto (PLN)	1,2100	0,7600	0,5730	0,4790	0,4400

Producent: YFW Symbol producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r

Stan magazynowy:

110 szt.

ilość szt.	3+	10+	30+	100+	290+
cena netto (PLN)	1,2100	0,7600	0,5730	0,4790	0,4400

Producent: YFW Symbol producenta: MJD127 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r (DPACK)

Stan magazynowy:

290 szt.

ilość szt.	3+	10+	30+	100+	290+
cena netto (PLN)	1,2100	0,7600	0,5730	0,4790	0,4400

Moc strat:	1,75W
Częstotliwość graniczna:	4MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego:	12000
Obudowa:	TO252
Maksymalny prąd kolektora:	8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter:	100V
Temperatura pracy (zakres):	-65°C ~ 150°C
Typ tranzystora:	PNP

Ilość szt.	3+	10+	50+	300+	1500+
cena netto (PLN)	1,3200	0,8430	0,5930	0,5040	0,4790