MJD31C CDIL

Symbol Micros: TMJD31c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,25W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31C-13; MJD31C1G;
Parametry
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: LGE
Obudowa: TO252
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 1,25W
Częstotliwość graniczna: 3MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Producent: LGE
Obudowa: TO252
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN