MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Obudowa: TO252
Tranzystor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD31CRLG(T&R); MJD31CT4G(T&R); MJD31CG(Tube); MJD31CTF; MJD31T4G; MJD31CT4G; MJD31CG;
Parametry
Moc strat: | 1,56W |
Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO252 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Moc strat: | 1,56W |
Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO252 |
Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |