MJD32CG
Symbol Micros:
TMJD32c
Obudowa: TO252
Tranzystor PNP; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD32CT4G; MJD32C-13; MJD32C-TP; MJD32CQ-13; MJD32CRLG; MJD32CTF; MJD32CTM; MJD32RLG; MJD32T4G;
Parametry
| Moc strat: | 1,56W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MJD32C-13
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4692 |
Producent: ST
Symbol producenta: MJD32CT4
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4593 |
Producent: ST
Symbol producenta: MJD32CT4
Obudowa dokładna: TO252
Magazyn zewnetrzny:
212510 szt.
| ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4751 |
| Moc strat: | 1,56W |
| Częstotliwość graniczna: | 3MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO252 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 3A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |