MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD45H11J
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: DPAK
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 80MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,75W
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: Nexperia
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: MJD45H11J RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
47 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,5800 1,6200 1,3400 1,2000 1,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Moc strat: 1,75W
Częstotliwość graniczna: 80MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 60
Producent: Nexperia
Obudowa: DPAK
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP