MJD45H11T4
Symbol Micros:
TMJD45h11t4
Obudowa: DPAK
Tranzystor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJD45H11T4G;
Parametry
Moc strat: | 1,75W |
Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | DPAK |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD45H11T4G RoHS
Obudowa dokładna: DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1280 szt.
ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 2,9700 | 1,8800 | 1,4800 | 1,3500 | 1,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD45H11T4G
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJD45H11T4G
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
505000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2900 |
Producent: ST
Symbol producenta: MJD45H11T4
Obudowa dokładna: DPAK
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt.
ilość szt. | 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 1,2900 |
Moc strat: | 1,75W |
Częstotliwość graniczna: | 90MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | DPAK |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |