MJE15030

Symbol Micros: TMJE15030
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; MJE 15030; MJE15030G; TMJE15030;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: CDIL Symbol producenta: MJE15030 RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
480 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7600 2,7600 2,2100 1,9000 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15030G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
850 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7503
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15030G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
400 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5488
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15030G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
400 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,7688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 40
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 150V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN