MJE15032

Symbol Micros: TMJE15032
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 70; 2W; 250V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE15032G;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15032G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,0154
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15032G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
2885 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,8637
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE15032G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7988
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 30MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 250V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN