MJE15032
Symbol Micros:
TMJE15032
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 70; 2W; 250V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE15032G;
Parametry
Moc strat: | 2W |
Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15032G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 3,0154 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15032G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
2885 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,8637 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15032G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnętrzny:
500 szt.
ilość szt. | 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 2,7988 |
Moc strat: | 2W |
Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | TO220 |
Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 250V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |