MJE15035G
Symbol Micros:
TMJE15035
Obudowa: TO220AB
Tranzystor PNP; 100; 50W; 350V; 4A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; MJE15035G Tranzystory PNP THT
Parametry
| Moc strat: | 50W |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220AB |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 350V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15035G
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
650 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5247 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE15035G
Obudowa dokładna: TO220AB
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt.
| ilość szt. | 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,5869 |
| Moc strat: | 50W |
| Częstotliwość graniczna: | 30MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220AB |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 350V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |