MJE18008 TO220AB

Symbol Micros: TMJE18008
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 34; 125W; 450V; 8A; 13MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE18008G;
Parametry
Moc strat: 125W
Częstotliwość graniczna: 13MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 34
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE18008G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6000 6,0600 5,1900 4,6600 4,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Moc strat: 125W
Częstotliwość graniczna: 13MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 34
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 450V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta