MJE182 TO126

Symbol Micros: TMJE182
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 3A; 50MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MJE182G;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE182G RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
220 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 495+
cena netto (PLN) 1,6700 1,0800 0,8370 0,7090 0,6410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
495
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE182G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2019
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 50MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 3A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN