MJE243G

Symbol Micros: TMJE243
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO126
Tranzystor NPN; 180; 1,5W; 100V; 4A; 40MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE243G RoHS Obudowa dokładna: TO126 karta katalogowa
Stan magazynowy:
880 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,3500 1,4800 1,1600 1,0500 1,0200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE243G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1583
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE243G Obudowa dokładna: TO126  
Magazyn zewnetrzny:
3449 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,5W
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 180
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO126
Maksymalny prąd kolektora: 4A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 100V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN