MJE5742G

Symbol Micros: TMJE5742g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor NPN; 400; 2W; 400V; 8A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE5742G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7700 5,3600 4,5700 4,1900 3,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE5742G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7700 5,3600 4,5700 4,1900 3,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/150
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE5742G RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
42 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 6,7700 5,3600 4,5700 4,1900 3,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
42
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MJE5742G Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: TO220
Maksymalny prąd kolektora: 8A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 400V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN