MJE5852G
Symbol Micros:
TMJE5852
Obudowa: TO220
Tranzystor PNP; 15; 80W; 400V; 8A; -65°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 80W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 15 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE5852G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
200 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 6,9390 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJE5852G
Obudowa dokładna: TO220
Magazyn zewnetrzny:
9987 szt.
| ilość szt. | 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 7,6551 |
| Moc strat: | 80W |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 15 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | TO220 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 8A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 400V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |