MJF44H11G
Symbol Micros:
TMJF44h11g
Obudowa: TO220iso
Tranzystor NPN; 60; 2W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | TO220iso |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJF44H11G RoHS
Obudowa dokładna: TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
| ilość szt. | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 5,4200 | 4,1300 | 3,4200 | 3,0000 | 2,8500 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MJF44H11G
Obudowa dokładna: TO220iso
Magazyn zewnętrzny:
440 szt.
| ilość szt. | 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 4,9906 |
| Moc strat: | 2W |
| Częstotliwość graniczna: | 50MHz |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
| Obudowa: | TO220iso |
| Maksymalny prąd kolektora: | 10A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |