MMBF0201NLT1G
Symbol Micros:
TMMBF0201n
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 20V; 1,4Ohm; 300mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF0201NLT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2900 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,9420 | 0,5210 | 0,3460 | 0,2890 | 0,2690 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF0201NLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2690 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF0201NLT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2978 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 1,4Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 300mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 20V |
| Typ tranzystora: | N-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |