MMBF4391LT1G
Symbol Micros:
TMMBF4391
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 30Ohm; 150mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4391LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2555 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1500 | 0,6080 | 0,4720 | 0,4350 | 0,4170 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4170 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4170 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4391LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
400 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4170 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 150mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |