MMBF4392LT1G
Symbol Micros:
TMMBF4392
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor N-JFET; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 60Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4392LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2980 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2300 | 0,6550 | 0,5080 | 0,4690 | 0,4490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
165000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4490 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBF4392LT1G
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
1017000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4490 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 60Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 50mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Maksymalne napięcie dren-bramka: | 30V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |