MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor N-Channel JFET; 40V; 40V; 350mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBF5103 RoHS 66A... Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r  
Stan magazynowy:
155 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,7090 0,4970 0,4320 0,4040
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23-3
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-bramka: 40V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta