MMBFJ111
Symbol Micros:
TMMBFJ111
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-JFET; 35V; 35V; 30Ohm; 20mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBFJ111;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 35V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
Producent: Fairchild
Symbol producenta: MMBFJ111 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1475 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8910 | 0,4520 | 0,2740 | 0,2170 | 0,1980 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ111
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3796 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 30Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 35V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 35V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |