MMBFJ177LT1G
Symbol Micros:
TMMBFJ177
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-JFET; 30V; 30V; 300Ohm; 20mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SST177-T1; MMBFJ177LT1G; MMBFJ177; PMBFJ177; PMBFJ177,215;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 300Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-JFET |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ177LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
1657 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,5300 | 0,8450 | 0,6640 | 0,6150 | 0,5900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ177LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5900 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ177LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
| ilość szt. | 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5900 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 300Ohm |
| Maksymalny prąd drenu: | 20mA |
| Maksymalna tracona moc: | 225mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 30V |
| Typ tranzystora: | P-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |