MMBFJ309

Symbol Micros: TMMBFJ309
Obudowa:  
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 30mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ309LT1G;
Parametry
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBFJ309LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2816
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Maksymalny prąd drenu: 30mA
Maksymalna tracona moc: 225mW
Obudowa: SOT23
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Maksymalne napięcie dren-źródło: 25V
Typ tranzystora: N-JFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 25V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD