MMBFJ310
Symbol Micros:
TMMBFJ310
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 60mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBFJ310LT1G; MMBFJ310LT3G;
Parametry
| Maksymalny prąd drenu: | 60mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBFJ310LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
7340 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3900 | 0,7680 | 0,6040 | 0,5590 | 0,5360 |
| Maksymalny prąd drenu: | 60mA |
| Maksymalna tracona moc: | 350mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 25V |
| Typ tranzystora: | N-JFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 25V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |