MMBT2222A-7-F
Symbol Micros:
TMMBT2222A-7-F Diodes
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; Bipolar; 75V; 40V; 300MHz; 600mA; 350mW; -55°C~150°C; MMBT2222A-13-F;
Parametry
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 75V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBT2222A-7-F RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3960 | 0,1560 | 0,0911 | 0,0667 | 0,0609 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBT2222A-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0609 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: MMBT2222A-7-F
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
231000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0609 |
| Moc strat: | 350mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 100 |
| Producent: | DIODES |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 75V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |