MMBT2369ALT1G
Symbol Micros:
TMMBT2369a
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 120; 300mW; 15V; 200mA; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 15V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2369ALT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,5070 | 0,2330 | 0,1270 | 0,0947 | 0,0845 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2369ALT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0909 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2369ALT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0889 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2369ALT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
579000 szt.
ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0919 |
Moc strat: | 300mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 120 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 15V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |