MMBT2484LT1G
Symbol Micros:
TMMBT2484lt1
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 60V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2369LT3G;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2484LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5180 | 0,2380 | 0,1290 | 0,0967 | 0,0863 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2484LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0983 |
| Moc strat: | 300mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |