MMBT2907A JSMICRO
Symbol Micros:
TMMBT2907a JSM
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT2907A-7-F; MMBT2907ALT1G; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A-TP; MMBT2907A RFG;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Moc strat: | 300mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | JSMICRO |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |
Odpowiedniki
MMBT2907ALT1G
Tranzystor PNP; 300; 300mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: mmbt2907a-fai; MMBT2907A RF; MMBT2907A-7-F; MMBT2907A-D87Z; MMBT2907A-TP; MMBT2907ALT3G; MMBT2907A RFG; MMBTA2907A-DIO;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
MMBT2907ALT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,1840 | 0,0923 | 0,0738 | 0,0709 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
MMBT2907ALT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
508747 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0709 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
MMBT2907ALT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
33000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0709 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
MMBT2907ALT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
24000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0709 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)