MMBT2907AT-7-F

Symbol Micros: TMMBT2907at
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT523
Tranzystor PNP; 300; 150mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 150mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT523
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MMBT2907AT-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT523 karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5670 0,2600 0,1420 0,1060 0,0945
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MMBT2907AT-7-F Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1065
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: MMBT2907AT-7-F Obudowa dokładna: SOT523  
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1057
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 150mW
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: DIODES
Obudowa: SOT523
Maksymalny prąd kolektora: 600mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP