MMBT2907AWT1G ON Semiconductor
Symbol Micros:
TMMBT2907aw
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 340; 150mW; 60V; 600mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 340 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907AWT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
880 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4190 | 0,1650 | 0,0965 | 0,0706 | 0,0645 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907AWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0667 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT2907AWT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0677 |
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 340 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 600mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |