MMBT3904 GALAXY

Symbol Micros: TMMBT3904 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-13-F; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: GALAXY Symbol producenta: MMBT3904 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2160 0,0808 0,0433 0,0323 0,0298
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: GALAXY
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN