MMBT3904 GALAXY
Symbol Micros:
TMMBT3904 GAL
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904,215; MMBT3904-7-F; MMBT3904LT1G; MMBT3904LT3G; MMBT3904-13-F; MMBT3904-TP; MMBT3904 RFG;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | GALAXY |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Moc strat: | 250mW |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | GALAXY |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
MMBT3904 FAIRCHILD
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904 RF; MMBT3904-FAI; MMBT3904LT3G;
Producent:
Fairchild
Symbol producenta:
MMBT3904 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
2975 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4100 | 0,1610 | 0,0943 | 0,0690 | 0,0630 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
MMBT3904
Tranzystor NPN; 300; 350mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904 RF; MMBT3904 RFG; MMBT3904LT1G; MMBT3904-FAI; MMBT3904Q-7-F;
Producent:
DIOTEC
Symbol producenta:
MMBT3904 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
19310 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2930 | 0,1130 | 0,0552 | 0,0439 | 0,0419 |
Sposób pakowania: 3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
MMBT3904,215
Tranzystor NPN; 300; 250mW; 40V; 200mA; 300MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT3904T-7-F; MMBT3904T-TP;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
MMBT3904,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
1090 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4190 | 0,1650 | 0,0965 | 0,0706 | 0,0645 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)