MMBT3904LT1G ONS
Symbol Micros:
TMMBT3904lt
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBT3904,215; MMBT3904LT3G; MMBT3904LT1G; MMBT3904SL; MMBT3904LT1G-RP100;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904LT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
13750 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3590 | 0,1420 | 0,0827 | 0,0605 | 0,0553 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
1310052 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0553 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904LT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
222000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0553 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |