MMBT3904LT1G ONS

Symbol Micros: TMMBT3904lt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: PMBT3904,215; MMBT3904LT3G; MMBT3904LT1G; MMBT3904SL; MMBT3904LT1G-RP100;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904LT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
13750 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3590 0,1420 0,0827 0,0605 0,0553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/15000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
1310052 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904LT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
222000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0553
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN