MMBT3904TT1G

Symbol Micros: TMMBT3904tt
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904TT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3) karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3240 0,1250 0,0609 0,0485 0,0463
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: MMBT3904TT1G Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)  
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 300mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 300
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Maksymalny prąd kolektora: 200mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 40V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN