MMBT3904TT1G
Symbol Micros:
TMMBT3904tt
Obudowa: SOT416 =(SC-75-3)
Tranzystor NPN; 300; 300mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT416 =(SC-75-3) |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904TT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,3240 | 0,1250 | 0,0609 | 0,0485 | 0,0463 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904TT1G
Obudowa dokładna: SOT416 =(SC-75-3)
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0499 |
Moc strat: | 300mW |
Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
Obudowa: | SOT416 =(SC-75-3) |
Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |