MMBT3904WT1G ONS
Symbol Micros:
TMMBT3904wt
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 300; 150mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do: MMBT3904W_R1_00001;
Parametry
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904WT1G RoHS
Obudowa dokładna: SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1120 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3840 | 0,1510 | 0,0883 | 0,0646 | 0,0590 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904WT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0593 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: MMBT3904WT1G
Obudowa dokładna: SOT323
Magazyn zewnetrzny:
2055000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0598 |
| Moc strat: | 150mW |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 40V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |